절연 게이트 바이폴라 트랜지스터 회로 애플리케이션 팁

데드-시간 제어
하프-브리지/풀-브리지 토폴로지에서는 직접 단락을 방지하기 위해 상부 및 하부 트랜지스터를 전환하는 동안 데드 타임(일반적으로 0.5~2μs)을 삽입해야 합니다. 이번에는 최신 게이트 드라이버가 자동으로 삽입될 수 있습니다.

 

환류 다이오드 협력
IGBT는 단방향 장치입니다. 유도 부하(예: 모터 또는 변압기)에는 역방향 전류 경로를 제공하기 위해 병렬로 연결된 고속 복구 다이오드(FWD)가 있어야 합니다.

 

유형 선택
포화형(PT-IGBT): 역전압 내성이 낮은 DC 회로(예: DC{1}}DC 컨버터)에 적합합니다.

 

비-포화 유형(NPT-IGBT): 대칭 차단 기능을 갖춘 AC 또는 양방향 전압 시나리오(예: 인버터)에 적합합니다.